专利号：2011100555181

本发明公开一种高功率芯片封装构造的导线架及其制造方法，所述导线架的一芯片承座具有至少为0.5毫米的厚度，以提供足够的吸热效能及散热效率。所述芯片承座上也设有一容置空间以容置一粘着层，且所述容置空间的内底部具有数个凸块，用以防止一高功率芯片的下表面倾斜及容置空间内粘着材料溢出，以维持所述高功率芯片的水平度，并同时有效的均匀控制所述粘着层的粘着厚度。因而，有利于保持所述粘着层的热能传导均一性，进而相对提高所述高功率芯片封装构造的可靠度及使用寿命。